ГОСТ 19834.0-75

Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров

действующий Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей

Текст ГОСТ 19834.0-75

 С поправками и изменениями:
Изменение №1 к ГОСТ 19834.0-75 от 01.07.1984 (текст интегрирован в текст или описание стандарта)
Изменение №2 к ГОСТ 19834.0-75 от 01.10.1987 (текст интегрирован в текст или описание стандарта)

Другие ГОСТы

ГОСТ 25053-87 Излучатели аппаратов для ультразвуковой терапии. Общие технические условия
ГОСТ Р 70480-2022 Излучатели аппаратов для ультразвуковой терапии. Общие технические условия
ГОСТ Р МЭК 60336-99 Излучатели медицинские рентгенодиагностические. Характеристики фокусных пятен
ГОСТ Р МЭК 60336-2010 Излучатели медицинские рентгенодиагностические. Характеристики фокусных пятен
ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
ГОСТ Р 50471-93 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения угла излучения
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости
ГОСТ 25645.118-84 Излучение космическое рентгеновское дискретных источников. Энергетические спектры и угловые координаты
ГОСТ 25645.155-91 Излучение в геомагнитном поле. Модель потоков протонов и электронов низких энергий
ГОСТ 25645.147-89 Излучение в атмосфере Земли ионизирующее. Характеристики распределения потоков излучения
ГОСТ 25645.153-90 Излучение атмосферы Земли рассеянное. Модель пространственно-временного распределения
ГОСТ IEC 60522-2011 Излучатели рентгеновские. Методы определения постоянной фильтрации
ГОСТ Р МЭК 60522-2001 Излучатели рентгеновские. Методы определения постоянной фильтрации
ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры

Дополнительная информация

Английское название
Введен в действие	30.06.1976
Дата издания	24.03.1975