ГОСТ 19656.10-88

Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь

действующий Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод

Текст ГОСТ 19656.10-88

Другие ГОСТы

ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения
ГОСТ Р 70786-2023 Диоды полупроводниковые импульсные лавинные. Система параметров
ГОСТ Р 70999-2023 Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты
ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности
ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току
ГОСТ Р 71081-2023 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия

Дополнительная информация

Английское название
Введен в действие	01.07.1989
Взамен	ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75
Дата издания	09.12.1988