ГОСТ 19656.13-76

Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности

действующий Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный

Текст ГОСТ 19656.13-76

С поправками и изменениями:
Изменение №1 к ГОСТ 19656.13-76 от 01.05.1987 (текст интегрирован в текст или описание стандарта)

Другие ГОСТы

ГОСТ Р 70999-2023 Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения
ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры
ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь
ГОСТ 20215-84 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Общие технические условия
ГОСТ Р 71081-2023 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные. Система параметров
ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току
ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления
ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока
ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения
ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению
ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты
ГОСТ 19656.9-79 Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты
ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей

Дополнительная информация

Английское название
Введен в действие	01.01.1979
Дата издания	08.07.1976